Implantacja jonów

Z Wikipedii

Schemat aparatury do implantacji jonów z magnetycznym separatorem jonów

Implantacja jonów – domieszkowanie materiałów polegające na rozpędzeniu jonów w polu elektrycznym i zderzeniu z domieszkowanym materiałem. Jony metali (najczęściej grupy III i V) uderzając w półprzewodnik niszczą jego strukturę krystalograficzną. Dlatego też niezbędny jest później proces wygrzewania poimplantacyjnego, który ma za zadanie odbudowę struktury oraz aktywację elektryczną domieszki. Głębokość domieszkowania zależy od energii jonów w czasie zderzenia, masy jonu, rodzaju podłoża a także od kierunku padania wiązki na płytkę podłożową.

Technika ta pozwala na tworzenie płytkich, wysoko domieszkowanych obszarów i jest dopełnieniem procesu dyfuzji.

[edytuj] Zobacz też

• półprzewodnik - domieszkowanie

To jest tylko zalążek artykułu z dziedziny techniki. Jeśli możesz, rozbuduj go.