PRAM

Z Wikipedii

PRAM (PCRAM – Phase Change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Zalety:

• możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż 1 bitu informacji
• stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – ok. 300 ns
• stosunkowo duża trwałość – 10¹² cykli
• długi czas przechowywania informacji
• stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu
• bezpośrednia zamienność z pamięciami typu Flash EEPROM

Wady:

• na obecnym etapie wysoki koszt produkcji
• wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach
• do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM – ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość

Autorem koncepcji i prototypów pamięci PRAM jest firma Ovonyx, stąd pamięć określana jest również jako OUM – Ovonic Unified Memory. Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.