Arseniuro de galio
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| Arseniuro de galio | |
|---|---|
| Imagen:Gallium arsenide.jpg | |
| General | |
| Nombre | Arseniuro de galio |
| Otros nombres | ? |
| Fórmula química | GaAs |
| Masa molar | 144.645 g/mol |
| Apariencia | Cristales cúbicos grises |
| Número CAS | Plantilla:CASREF |
| Propiedades | |
| Densidad y estado | 5.3176 g/cm³, sólido. |
| Solubilidad en agua | < 0.1 g/100 ml (20°C) |
| Punto de fusión | 1238°C (1511 K) |
| Punto de ebullición | ?°C (? K) |
| Propiedades electrónicas | |
| Ancho de banda prohibida a 300 K | 1.424 eV |
| Masa efectiva del electrón | 0.067 me |
| Masa efectiva Light hole | 0.082 me |
| Masa efectiva Heavy hole | 0.45 me |
| Movilidad del electrón a 300 K | 9200 cm²/(V·s) |
| Movilidad del hueco a 300 K | 400 cm²/(V·s) |
| Estructura | |
| Estructura cristalina | Cúbica (Zinc Blenda) |
| A no ser que se diga lo contrario, estos datos son para materiales en condiciones normales (a 25°C, 100 kPa) |
|
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
[editar] Véase también
- Electrónica
- Optoelectrónica
- Transistor de efecto de campo (FET)
- Circuito integrado
- Semiconductor
- Célula fotovoltaica
[editar] Materiales relacionados
- Arseniuro de aluminio (AlAs)
- Arseniuro de indio (InAs)
- Antimoniuro de galio (GaSb)
- Fosfato de galio (GaP)
- Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)
- Arseniuro de indio y galio (GaInAs)
- Fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
- Nitruro de galio (GaN)
