Epitaksja
Z Wikipedii
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
[edytuj] Rodzaje epitaksji
- MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych]]
- LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej]]
- VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej]]
- CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej]]
