Laser półprzewodnikowy
Z Wikipedii
Laser półprzewodnikowy (laser diodowy, dioda laserowa) - laser, którego obszarem czynnym jest półprzewodnik. Najczęściej laser półprzewodnikowy ma postać złącza p-n i obszar czynny jest pompowany przez przepływający przez złącze prąd elektryczny.
Spis treści |
[edytuj] Obszary czynne laserów półprzewodnikowych
Lasery złączowe:
- struktura homozłączowa
- struktura monoheterozłączowa
- struktura biheterozłączowa
- studnia kwantowa
- druty kwantowe
- kropki kwantowe
Lasery bezzłączowe:
- struktura lasera kaskadowego
[edytuj] Rodzaje laserów półprzewodnikowych
- Laser o emisji krawędziowej
- Laser o emisji powierzchniowej
- Laser niebieski
- Laser UV
[edytuj] Historia
Pierwsze lasery półprzewodnikowe powstały niemal równocześnie w 1962 w czterech laboratoriach amerykańskich [1] [2] [3] [4] i jednym radzieckim[5]. W większości z tych laserów złącze wykonane było z arsenku galu. W jednym przypadku był to fosforo-arsenek galu. Pierwszy laser półprzewodnikowy w Polsce został wykonany w 1966 przez Bohdana Mroziewicza w Instytucie Podstawowych Problemów Techniki PAN. [6] Pierwsze lasery półprzewodnikowe oparte były na strukturze homozłączowej i pracowały wyłącznie w niskich temperaturach.
W 1963 Herbert Kroemer[7] i Żores Alfierow[8] niezależnie zaproponowali zastosowanie struktury heterozłączowej w celu polepszenia sprawności emisji wymuszonej.
[edytuj] Zastosowania
Ze względu na niewielkie rozmiary, niskie koszty produkcji, oraz wysoką wydajność, lasery półprzewodnikowe są dzisiaj najczęściej wykorzystywanym rodzajem laserów, znajdują zastosowanie między innymi w napędach CD, DVD, Blu Ray , XDCAM, wskaźnikach laserowych, łączności światłowodowej, w zastosowaniach militarnych jako wskaźniki celu , dalmierze.
[edytuj] Bibliografia
- Bohdan Mroziewicz, Maciej Bugajski, Włodzimierz Nakwaski: Lasery półprzewodnikowe. Warszawa: Państwowe Wydawnictwo Naukowe, 1985. ISBN 83-01-04758-5.
Przypisy
- ↑ Nathan, Marshall I., Dumke, William P., Burns, Gerald, H. Dill, Frederick, Jr. i Lasher, Gordon. Stimulated Emission of Radiation from GaAs p-n Junctions. Applied Physics Letters. 1 listopada 1962 Vol. 1, 3, 62-64.
- ↑ Hall, R. N., Kingsley, J. D., Soltys, T. J. i Carlson, R. O.. Coherent Light Emission From GaAs Junctions. Physical Review Letters. Listopad 1962, vol. 9, 9, 366-368.
- ↑ Holonyak, Nick, Jr. i Bevacqua, S. F.. Coherent (visible) light emission from Ga (As1-xPx) Junctions. Applied Physics Letters. 1. grudnia 1962, Vol. 1, 4, 82-83.
- ↑ Quist, T. M., Rediker, R. H., Keyes, R. J., Krag, W. E., Lax, B., McWhorter, A. L. i Zeigler, H. J.. Semiconductor maser of GaAs. Applied Physics Letters. 1. grudnia 1962, Vol. 1, 4, 91-92.
- ↑ Nasledov, D.N., Rogachev, A.A., Ryvkin, S.M. i Tsarenkov, B.V.. Recombination radiation of galium arsenic. Fizika Tverdovo Tela. 1962, 4, 4, 1062.
- ↑ Darek, B., Mroziewicz, B. i Świderski, J.. Polish-made laser using a gallium arsenide junction (Gallium arsenide laser design using p-n junction obtained by diffusion of zinc in tellurium doped n-GaAs single crystal). Archiwum elektrotechniki. 1966, Vol. 15, 1, 163-167.
- ↑ Kroemer, Herbert. A proposed class of hetero-junction injection lasers. Proceedings of the IEEE. 51, 12, 1782- 1783.
- ↑ Alfierow, Ż. i Kazarinow, R., Laser półprzewodnikowy z pompowaniem elektrycznym, patent ZSRR 181737 (1963)
