Arsenek galu
Z Wikipedii
Arsenek galu | |||
|
|||
Ogólne informacje | |||
Nazwa systematyczna | Arsenek galu | ||
Wzór sumaryczny | GaAs | ||
SMILES | Ga#As | ||
Masa molowa | 144.645 g/mol | ||
Identyfikacja | |||
Numer CAS | 1303-00-0 | ||
PubChem | |||
Właściwości | |||
Gęstość i stan skupienia | 5,31 g/cm3 ; | ||
Rozpuszczalność w wodzie | < 0.1 g/100 ml (20°C) | ||
Temperatura topnienia | 1 238 °C (1 511,15 K) | ||
Niebezpieczeństwa | |||
MSDS | [External MSDS Zewnętrzne dane MSDS] | ||
Klasyfikacja UE | Treść oznaczeń: T+ - silnie toksyczny N - groźny dla środowiska |
||
Zwroty ryzyka | R: 23/25-50/53 | ||
Zwroty bezpieczeństwa | S: (1/2-)20/21-28-45-60-61 | ||
Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą warunków standardowych (25°C, 1000 hPa) |
Arsenek galu (GaAs) - nieorganiczny związek chemiczny połączenie galu i arsenu.
Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.
Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa - przerwa energetyczna (w temp. 300 K) Bg = 1,424 eV.
[edytuj] Zastosowanie
Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji:
- szybko reagujących cyfrowych i analogowych układów scalonych
- diod
- laserów
- baterii słonecznych
- fotodetektorów
- czujników pola magnetycznego
- sond biomedycznych